Используя этот сайт, вы соглашаетесь на использование и обработку ваших персональных данных.
Подробнее.
Полная контактная информация доступна бесплатно только зарегистрированным пользователям
Родился:
06.05.1991 (35 лет)
Пол: Мужской
Место жительства: Москва
инженер
35 000 RUR
Профессиональный опыт и навыки
09.2013-06.2014 гг-Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наукИнженер (научно-исследовательская практика)
-Принимал участие в исследовании процесса эпитаксиального выращивания полупроводниковых структур
-Получил опыт работы на установке молекулярно-пучковой эпитаксии
12.2014 - 04.2015 гг.
ОА "Оптрон",г.Москва, инженер
Пуско-наладка установки для выращивания полупроводниковых структур методом МОС-гидридной эпитаксии;
Пуско-наладка установки для шлифовки и полировки полупроводниковых пластин
04.2015 - 04.2016 гг.
ВС РФ,г.Торжок, стрелок
Основное образование
Высшее 2008-2014 гг-Московский государственный университет тонких химических технологий им. М.В. Ломоносова Факультет химии и технологии редких элементов и материалов электронной техники Специализация: «Материаловедение и технологии материалов» Степень: магистр
Знания и навыки
Уверенный пользователь ПК (MS Office: Word, Excel, PowerPoint; Internet; Origin)
Немецкий язык — технический уровень —